СГР, получим, что потенциал поля помехи в
ν
-м слое описывается
формулой (12), в которой
r
=
r
x
= (
x
−
x
0
)
2
+
t
2
c
;
t
с
=
t
exp(
−
3
/
2)
— СГР отрезка прямой, который имеет длину
t
, от самого себя.
Главная составляющая ЭДС помехи при сформулированных допу-
щениях
u
Γ
=
ϕ
Γ
(
r
a
, z
п
+
l
п
)
−
ϕ
Γ
(
r
a
, z
п
)
.
(13)
Пример использования методики.
Рассмотрим расчет ЭДС по-
мехи, наведенной вертикальным проволочным выводом микросхемы,
заключенной в металлический корпус, в таком же соседнем выво-
де. Соответствующая конструкция схематично приведена на рис. 1.
Диэлектрики с диэлектрическими проницаемостями
ε
1
и
ε
2
полагаем
непроводящими и немагнитными.
Вычисление главной составляющей ЭДС помехи
u
Γ
проводится
по формулам (12) и (13). Вычислим поправку. При расчете эквива-
лентной диэлектрической проницаемости
ε
э
в качестве главной со-
ставляющей примем потенциал поля диполя и его зеркального изо-
бражения в однородной среде со свойствами верхнего полупростран-
ства. Следуя рекомендациям работы[7], потенциал электрического
поля в квазистационарном приближении для верхнего слоя струк-
туры, представленной на рис. 1, будем описывать с помощью мате-
матической модели
Φ
ϕ
2
= exp(
−
λ
|
z
−
z
0
|
) +
s
2
(
λ
) exp[
λ
(
z
−
z
0
)] +
+
p
2
(
λ
) exp[
λ
(
z
0
−
z
)]
, а для нижнего слоя — с помощью модели
Φ
ϕ
1
(
λ, z, z
0
) =
s
1
(
λ
) exp[
λ
(
z
−
z
0
)] +
p
1
(
λ
) exp[
λ
(
z
0
−
z
)]
. Записав с
помощью этих выражений граничные условия [7], получим систе-
му интегральных уравнений относительно неизвестных
s
ν
(
λ
)
и
p
ν
(
λ
)
(
ν
= 1
,
2
); число уравнений 4 необходимо и достаточно для отыска-
ния всех неизвестных функций
s
и
p
. С помощью интеграла Фурье–
Бесселя [5] переходим к системе линейных алгебраических уравнений;
Рис. 1. Физическая модель микросхемы на диэлектрической подложке в метал-
лическом корпусе с вертикальными проволочными выводами
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2007. № 4 13