Background Image
Previous Page  7 / 15 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 7 / 15 Next Page
Page Background

клонении значения

e

ε

от единицы. Поэтому целесообразно рассмотреть

подходы, позволяющие на основе математических моделей, учитываю-

щих форму включений и структуру композита, получить эффективное

значение диэлектрической проницаемости композита.

Представительный элемент структуры композита.

Предполо-

жим, что шаровые включения в композите не контактируют между со-

бой, т.е. отделены друг от друга слоем материала матрицы. Композит

полагаем состоящим из множества составных частиц, каждая в виде

включения, окруженного шаровым слоем материала матрицы. Радиус

таких частиц примем переменным от некоторого конечного до беско-

нечно малого, что позволяет полностью заполнить область, занятую

композитом. Cоставную шаровую частицу произвольным радиусом

R

примем представительным элементом структуры рассматриваемого

композита. Тогда при заданной объемной концентрации

C

V

включений

для радиуса шарового включения получим

R

0

=

RC

1

/

3

V

.

Поместим составную частицу в неограниченный массив однород-

ного материала, относительная диэлектрическая проницаемость

ε

1

ко-

торого подлежит определению как эффективная характеристика ком-

позита. В центре этой частицы выберем начало сферической системы

координат. Примем, что на большом расстоянии (

r R

) от начала

координат задан вектор напряженности

E

0

электростатического поля,

направленный вдоль координатной оси, от которой происходит отсчет

полярного угла

θ

, т.е. при

r

→ ∞

распределение электрического по-

тенциала описывает функция

U

(

r, θ

) =

E

0

r

cos

θ

, где

E

0

=

|

E

0

|

.

Эта функция удовлетворяет уравнению Лапласа, имеющему в сфери-

ческих координатах следующий вид:

1

r

∂r

r

2

∂U

∂r

+

1

r

2

sin

θ

∂r

sin

θ

∂U

∂θ

+

1

r

2

sin

θ

2

U

∂ϕ

2

= 0

.

(15)

В таком случае благодаря выбранному направлению вектора

E

0

рас-

пределение электрического потенциала не зависит от угловой коорди-

наты

ϕ

, т.е.

2

U/∂ϕ

2

0

.

По мере приближения к составной шаровой частице электроста-

тическое поле в однородном материале претерпевает возмущение,

также описываемое удовлетворяющим уравнению (15) слагаемым

Δ

U

(

r, θ

) =

(

B/r

2

) cos

θ

[2], где

B

— подлежащий определению по-

стоянный коэффициент. Таким образом, распределение электрическо-

го потенциала в однородном материале, удовлетворяющее заданному

условию при

r

→ ∞

и уравнению (15), описывает функция

U

(

r, θ

) =

U

(

r, θ

) + Δ

U

(

r, θ

) =

(

E

0

r

+

B/r

2

) cos

θ.

(16)

Аналогичные зависимости описывают распределения электрического

56 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2015. № 3