×
[1
−
exp(
−
k
λ
(
N
)
l
N
)] exp
−
N
m
0
−
1
k
λ
(
m
0
−
1)
l
i
x
(
m
0
−
1)
dλ,
(6)
где
ρ
K
(
i
x
, λ
)
— спектральный коэффициент отражения на
K
-й поверх-
ности
N
-го элемента ОС;
n
λ,N
— показатель преломления материала
N
-го элемента ОС;
m
— количество компонентов
N
и
M
0
γ
в ОС при-
бора;
m
0
— номер компонента ОС, расположенного перед анализиру-
емым источником в обратном ходе лучей;
k
λ
(
m
0
−
1)
и
l
x
(
m
0
−
1)
—
соответственно спектральные коэффициенты поглощения материалов
линзовых компонентов ОС, расположенных за
m
0
-м компонентом, и
длина хода излучения в них по направлению
i
x
;
τ
λ,i
x
(
m
−
m
0
)
— приве-
денный коэффициент пропускания части прибора, расположенной за
m
0
-м ее компонентом, учитывающий спектральную чувствительность
приемника излучения ОЭУ;
M
eλ
[
T
i
x
(
l
N
)]
— спектральная интенсив-
ность излучения АЧТ при температуре
Т
i
x
(
l
N
)
.
В случае неравномерного нагрева
N
-го источника величина
L
e,i
x
(
i
1
, N
)
может быть вычислена из соотношения [5]:
L
e,i
x
(
i
1
,N
) =
1
π
j
1
{
1
−
ρ
K
(
i
K
)
}
(
n
2
Nλ
τ
i
(
m
−
m
0
)
M
e,λ
[
T
i
x
N
j
])
×
×{
1
−
exp[
−
k
λ
(
m
+1)
l
N,j
1
]
}
exp
−
N
max
m
0
+1
k
λ
(
m
0
+1)
l
i
x
(
m
0
+1)
dλ,
(7)
где
l
N,j
1
– длина хода излучения в
j
1
-м слое рассчитываемого
N
-го эле-
мента ОС в заданном направлении, для которого температура
T
i
x
(
N
j
1
)
постоянна.
Яркость излучения в заданном направлении непрозрачных элемен-
тов конструкции типа
M
γ
(
K
)
;
M
γ
определяется из соотношения [1]
L
i
x
(
M
) =
1
π
τ
λ,i
x
(
m
−
m
0
)
ε
λ
(
i
1
;
M
)
M
eλ
[
T
i
x
(
M
)]
×
×
exp
−
n
m
0
−
1
k
λ
(
m
0
+ 1)
l
i
x
(
m
+ 1)
dλ,
(8)
где
M
e,λ
[
T
i
x
(
M
)]
— спектральная интенсивность излучения АЧТ при
температуре
T
i
x
(
M
)
;
ε
λ
(
i
1
;
M
)
— направленный спектральный коэф-
фициент излучения.
Следующим этапом решения поставленной задачи является вы-
бор метода расчета суммарной фоновой облученности в ПАИ ОЭУ.
24 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2006. № 1
