определяют наименьшее из них (изображений) по диаметру [7].Ал-
горитмы вычислений изложенных задач, а также расчета линейного
увеличения
β
(
k
)
за
K
-й поверхностью ОС строятся с использованием
следующих соотношений геометрической оптики [7]:
S
k
=
n
k
+1
[(
n
k
−
1
−
n
k
)
/r
k
+
n
k
/s
k
]
−
1
;
S
k
+1
=
−
d
k
+
S
k
;
β
k
=
n
k
S
k
/n
k
+1
−
s
k
;
β
Σ
=
k
и
k
=
k
max
β
k
;
D
Σ
(
k
) =
r
k,
Δ
(
γ
)
β
Σ
.
(10)
Соотношения (10) в вышеназванных алгоритмах используются в
цикле вычислений по индексу
K
(от
K
max
до
K
и
) с выборкой значений
n
k
,
s
k
,
R
k
из табл.
Т
2
А
(см. рис. 2,
а
) (на первом такте цикла
s
k
=
s
0
) и
результатам вычислений
S
ки
;
β
Σ
(
k
)
;
D
Σ
(
k
)
. При вычислении диаметра
входного отверстия
D
Σ
(
k
)
по значению
K
и
для анализируемого источ-
ника (табл.
Т
1
А
. . .
Т
1
G
, см. рис. 2,
а
) из таб л.
Т
2
А
находят величины
Δ
∗
K
(
γ
)
, по которым из табл.
Т
2
B
при
Δ
∗
K
(
γ
) = Δ
определяются
S
K,
Δ
(
γ
)
и
r
K,
Δ
(
γ
)
. Выходом из цикла расчетов по формулам (10) при
этом являются расстояния от
K
и
-й поверхности до (ПАИ)
S
K,
Δ
(
γ
)
и
D
вх.зр
.
В зависимостях (6) и (8) имеет смысл для сокращения трудоемко-
сти расчетов принять
τ
Σ
(
λ
) =
τ
λ,i
x
(
m
−
m
0
) exp
−
m
0
l
k
λ
(
m
0
−
1)
l
i
x
(
m
0
−
1)
.
Тогда потери излучения при вычислении
E
A
(
N
)
,
E
A
(
M
0
γ
)
,
E
A
(
M
γ
(
K
))
в соотношении (10) могут быть определены по обще-
известным соотношениям [1]:
τ
Σ
(
λ
) =
S
λ
2
N
l
(1
−
ρ
k
)
N
l
exp(
−
k
λ
d
)
N
M
(
γ
)
l
ρ
(
M
0
γ
);
ρ
k
= [(
n
k
−
n
k
−
1
)
/
(
n
k
+
n
k
−
1
)]
2
.
(11)
Значения параметров в указанных формулах и порядок выборки из
табл.
Т
1
А
;
Т
1
B
;
Т
1
G
;
Т
1
D
, а также
Т
2
А
;
Т
3
. . .
Т
9
приведены ранее
(при
ν
= 1
в выражении (11) проставляются значения
n
, иначе
n
λ
).
26 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2006. № 1
