Модель приемной системы оптико-электронных устройств для определения внутриприборной фоновой облученности плоскости анализа изображения элементами конструкции произвольной компоновки - page 11

больший. Такое решение поставленной задачи даже с использованием
ЭВМ весьма трудоемко. Поэтому при наличии в конструкции несколь-
ких экранов типа
ξ
3
= 1
вводится признак
æ
ξ
их приоритетности в
экранировании излучения рассчитываемого
m
i
-го источника в после-
довательности изменения
æ
от 1 до
æ
max
(табл.
Т
10
, см. рис. 2,
б
).
Приоритетным из вышеназванных экранов, следующих за оптической
поверхностью
K
3
, в прямом ходе лучей будет тот, для которого коэф-
фициент
K
(3)
при заданном источнике и размерах ПАИ имеет наи-
большее значение. Цифровое значение
æ
ξ
соответствует имени экрана
в таб л.
T
12
(см. рис. 2,
б
). При расчете фоновых засветок на схемо-
техническом уровне проектирования ОЭУ вопрос о приоритетности
экранов должен решаться разработчиками оптической системы. При
вычислении степени экранирования третьего вида излучения
m
i
-го
элемента конструкции ОЭУ в режиме автоматического расчета ее не-
обходимо характеризовать индексами
q
æ
и
ξ
. Цифровое значение
индексов соответствует признаку наличия (
q
æ
= 1
;
ξ
= 1
) или от-
сутствия (
q
æ
= 0
;
ξ
= 0
) в конструкции прибора соответственно
сложного пространственного экранирования или экранов типа
ξ
3
= 0
.
Последним этапом разработки системы описания внутренней по-
лости прибора является определение параметров и индексов, харак-
теризующих оптические и излучательные свойства его элементов при
вычислении от них облученности. Источники типа
N
, как это принято
в оптических расчетах, будут определяться показателями преломления
n
и
n
λ
по признаку
ν
(если
ν
= 0
, то
n
, иначе
n
λ
, см. соответствен-
но табл.
Т
2
А
и
Т
5
на рис. 2,
а
) и показателем поглощения материала
оптического компонента
k
λ
по числовому значению признака
ν
2
(на-
пример,
ν
2
= 1
— LiF;
ν
2
= 2
— кварц и т.д., см. табл.
Т
6
на рис. 2,
а
).
Зеркальные компоненты при расчете будут характеризоваться ко-
эффициентом отражения
ρ
K
(
M
0
)
или
ρ
(
M
0
)
по признаку
ν
1
(если
ν
1
= 0
, то
ρ
K
(
M
0
)
, (иначе
ρ
(
M
0
)
, см. табл.
Т
3
и
Т
4
на рис. 2,
а
). Для
непрозрачных источников вводятся признаки
ψ
и
ν
3
, цифровые зна-
чения которых определяют соответственно их диффузность (
ψ
= 1
)
или недиффузность (
ψ
= 2)
и материал, например
ν
3
= 1
— медь;
ν
3
= 2
— сталь и т.д. При этом для каждого материала при расчете
должен быть задан направленный коэффициент излучения
ε
. В случае
ψ
= 2
этот коэффициент задается как функция
ε
=
f
(
i
0
), где
i
0
— угол
между нормалью к поверхности источника и заданным направлением
излучения от него (табл.
Т
8
и
Т
9
, см. рис. 2,
а
).
Кроме того, в таб л.
Т
1
А
,
Т
1
B
,
Т
1
W
,
Т
1
G
,
Т
1
D
(см. рис. 2,
а
) вве-
ден индекс
ν
5
, определяющий характер нагрева источников излучения.
Если
ν
5
= 0
, то его цифровое значение соответствует температуре
равномерно нагретого элемента конструкции
m
i
ОЭУ. В противном
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2006. № 1 21
1...,2,3,4,5,6,7,8,9,10 12,13,14,15,16,17,18,19
Powered by FlippingBook