Previous Page  2 / 10 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 2 / 10 Next Page
Page Background

4

ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Приборостроение». 2016. № 3

Введение.

Многослойные пленочные структуры широко применяют

при производстве большого числа современных устройств, в том числе

микросхем, жидкокристаллических и сенсорных экранов, солнечных

батарей [1]. Толщина слоев таких структур зачастую определяет основ-

ные характеристики производимых компонентов. Для повышения каче-

ства продукции необходимо проводить ее непрерывный контроль на

этапе производства. Чтобы выявить отклонения в параметрах слоев тре-

буются методы, которые позволяют осуществлять быстрое и одновре-

менно точное измерение распределения толщин слоев пленочных струк-

тур, использующихся в оптоэлектронных устройствах.

Для нахождения толщин пленочных покрытий используют такие

оптические методы, как эллипсометрия, оптическая рефлектометрия и

интерферометрия белого света [2–6]. Для высокоскоростного контроля

толщин в жестких вибрационных условиях наиболее подходящим из

перечисленных методов является метод оптической спектральной ре-

флектометрии [5], который включает в себя регистрацию спектра от-

ражения излучения пленочным покрытием и последующую обработку

этого спектра в целях нахождения неизвестных толщин [5, 6]. Этот ме-

тод также позволяет получить латеральное распределение толщин

многослойных пленочных структур.

В настоящей работе представлен метод измерения распределения

толщин многослойных пленочных структур на основе принципов оп-

тической спектральной рефлектометрии, описан метод определения

толщин пленочных покрытий по спектральным изображениям, приве-

дена схема экспериментального стенда с использованием перестраива-

емого акусто-оптического фильтра, а также рассмотрен метод, позво-

ляющий устранить неоднородности интенсивности спектральных

изображений. В заключительной части работы приведен пример изме-

рения параметров двухслойной пленочной структуры и анализ полу-

ченных результатов.

Метод нахождения толщины пленочного покрытия.

Коэффици-

ент отражения по интенсивности многослойного поглощающего пле-

ночного покрытия может быть вычислен матричным методом [8]. Для

слоистой среды, состоящей из

L

слоев, этот коэффициент определяют

из выражения

2

11

12

1

21

22

2

11

12

1

21

22

,

| |

L

L

L

L

M M p p M M p

R r

M M p p M M p

 

 

 

где

ij

M

— коэффициенты характеристической матрицы слоистой сре-

ды; для немагнитной среды коэффициент

ˆ cos ,

 

l

l

l

p n

1, , ,

l

L

 

(

ˆ

1 )

l

l

l

n n k

 

— комплексный показатель преломления материала.

Для случая нормального падения излучения матрица слоистой сре-

ды имеет вид