параметры
Δ
A
2
s
и
Δ
A
2
r
по данным отэталона
S
э
для аппаратных
функций прибора:
s
2
b
(
±
)
s
= [
|
Δ
i
инт
2
е
s
|
/
(
G
1
пр
(
ξη
)
s
и
G
2
b
(
ζη
)
э
s
)] = sin(Δ
S
eff
s
+ Δ
A
2
s
);
s
2
b
(
±
)
r
= [
|
Δ
i
инт
2
е
r
|
/
(
G
1
пр
(
ξη
)
r
и
G
2
b
(
ζη
)
э
r
)] = sin(Δ
Rer
+ Δ
A
2
r
);
s
2
a
(
ξη
)(
s,r
)
= [
|
Δ
i
инт
2
a
е
(
s,r
)
э
|
/G
2
b
(
ξη
)
э
(
s,r
)
] = Δ
A
2(
s,r
)
.
Для фазовых параметров
Δ
S
eff
s
и
Δ
Rer
для рассеяния и отражения
света на оптически одноосном ДК имеем
Δ
(
S
eff
,R
)
= arcsin[
s
2
b
(
±
)(
s,r
)
]
−
arcsin[
s
2
a
(
ξη
)(
s,r
)
]
.
(26)
Полученные основные уравнения холоэллипсометрии одновремен-
ного рассеяния и отражения света в направлениях, близких к нормаль-
ному, в виде соотношений (16), (19) и (26) составляют методологиче-
скую основу для организации работы устройства, обеспечивающего
адекватную реализацию такого метода, и отладки алгоритмов обра-
ботки экспериментальных данных.
Как заключение отметим, что в настоящей работе приведены разра-
ботанные впервые оптическая схема и принцип действия устройства,
организованного как единая комбинация одновременно функциони-
рующих холоэллипсометров
in situ
рассеяния и отражения поляризо-
ванного света образцом оптически одноосного двумерного кристал-
ла в направлениях, близких к нормальному для образца. Приведены
также основные уравнения метода холоэллипсометрии, реализуемо-
го адекватно с помощью такого устройства. Существенное отличие
полученных в работе результатов от известных поляризационных из-
мерений рассеяния света состоит в том, что впервые представлена воз-
можность одновременного измерения не отношения модулей, а самих
модулей и дополнительно разности фаз для комплексных амплитудных
коэффициентов рассеяния и (не или) отражения света в направлени-
ях, близких к нормальному для исследуемого образца из оптически
одноосного прозрачного двумерного кристалла. И такая возможность
одновременного измерения не двух, а шести экспериментальных па-
раметров позволяет заметно повысить диагностические способности
эллипсометрии как основы мониторинга создания и обработки дву-
мерных наноструктурных образований.
Работа выполнена в рамках ФЦП “Научные и научно-педагогичес-
кие кадры инновационной России” за 2009–2013 гг.
ЛИТЕРАТУРА
1.
Алферов Ж.И.
Нанотехнологии: перспективы развития в России // Наука Моск-
вы и регионов. 2005. № 2. С. 41–47.
50 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2013. № 4
