2.
Langereis E.
,
Heil S.B.S.
,
Knoops H.C.M.
,
Keuning W.
,
Van de Sandem M.C.M.
,
Kessels W.M.M.
In situ spectroscopic ellipsometry as a versatile tool for studying
atomic layer deposition // J. Phys. D: Appl.Phys. 2009. Vol. 42.
3.
Конотопов М.В.
,
Тебекин А.В.
Концепция стратегии развития производственных
технологий // Инновации и инвестиции. 2007. № 1 (9). С. 2–15.
4.
Аззам Р.
,
Башара Н.
Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.
584 c.
5.
Кирьянов А.П.
Голоэллипсометрия
in situ
: основы и применения. М.: МГУДТ,
2003. 202 c.
6.
Интерференциoнная
хoлoэллипсoметрия
in situ
прoзрачнoгo двумернoгo oд-
нooснoгo кристалла при нoрмальнoм oтражении лазернoгo излучения / М. Али,
Ю.Ю. Качурин, А.П. Кирьянов и др. // Вестник РУДН. 2012. № 1. С. 84–91.
7.
Germer T.A.
,
Fasolka M.J.
Characterizing surface roughness of thin films by polarized
light scattering // Proc. SPIE. 2003, Vol. 5188. P. 264–275.
8.
Фабелинский И.Л.
Молекулярное рассеяние света. М.: Наука, 1965. 511 с.
9.
Борн М.
,
Вольф Э.
Основы оптики. М.: Наука, 1980. 856 c.
10.
Ландау Л.Д.
,
Лифшиц Е.М
. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1980.
532 c.
11.
Kovalev V.I.
,
Rukovischnikov A.I.
,
Rossukanyi N.M.
,
Perov P.I.
New high precion and
high speed automatic ellipsometer with polarization switching for
in situ
control in
semiconductor device technologies // Physics of Sеmiconductor Devices. New Delhi:
Tata McGraw-Hill. 1990. P. 244–249.
REFERENCES
[1] Alferov Zh.I. Nanotekhnologii: perspektivy razvitiya v Rossii.
Nauka Moskvy i
regionov
[Science in Moscow and regions], 2005, no. 2, pp. 41–47 (in Russ.).
[2] Langereis E., Heil S.B.S., Knoops H.C.M., Keuning W., Van de Sandem M.C.M.,
Kessels W.M.M. In situ spectroscopic ellipsometry as a versatile tool for studying
atomic layer deposition.
J. Phys. D. Appl. Phys.
, 2009, vol. 42.
[3] Konotopov M.V., Tebekin A.V. The concept of industrial technology development
strategy.
Innovatsii i investitsii
[Innovations and investments], 2007, no. 1 (9), pp. 2–
15 (in Russ.).
[4] Azzam R.M.A., Bashar N.M. Ellipsometry and polarized light. Amsterdam, North-
Holland Publ., 1977. 539 p. (Russ. ed.: Azzam R., Bashara N. Ellipsometriya i
polyarizovannyy svet. Moscow, Mir Publ., 1981. 584 p.).
[5] Kir’yanov A.P. Goloellipsometriya in situ: osnovy i primeneniya [In situ holo-
ellipsometry: fundamentals and applications]. Moscow, MGUDT Publ., 2003. 220 p.
[6] Ali M., Kachurin Yu.Yu., Kir’yanov A.P. In situ interference holoellipsometry of
a two-dimensional transparent uniaxial crystal at normally reflected laser radiation.
Vestn. RUDN
[Bull. People’s Friendship Univ.], 2012, no. 1, pp. 84–91 (in Russ.).
[7] Germer T.A., Fasolka M.J. Characterizing surface roughness of thin films by polarized
light scattering.
Proc. SPIE
, 2003, vol. 5188, pp. 264–275.
[8] Fabelinskiy I.L. Molekulyarnoe rasseyanie sveta [Molecular scattering of light].
Moscow, Nauka Publ., 1965. 511 p.
[9] Born M., Wolf E. Principles of Optics. London, Pergamon Press, 1959, 803 p. (Russ.
ed.: Born M., Vol’f E. Osnovy optiki. Moscow, Nauka Publ., 1970. 856 p.).
[10] Landau L.D., Lifshits E.M. Elektrodinamika sploshnykh sred [Electrodynamics of
continuous media]. Moscow, Nauka Publ., 1980. 532 p.
[11] Kovalev V.I., Rukovischnikov A.I., Rossukanyi N.M., Perov P.I. New high precion
and high speed automatic ellipsometer with polarization switching for in situ control
in semiconductor device technologies.
Phys. Sеmiconductor Dev.
New Delhi, Tata
McGraw-Hill, 1990, pp. 244–249.
Статья поступила в редакцию 8.02.2013
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2013. № 4 51
