2 / 10
Технология проекционной литографии дала возможность много-
кратно увеличить производство микроэлектронных изделий за счет
высокой производительности процесса. Литографические процессы
применяются в различных областях промышленности таких, как изго-
товление цифровых сигнальных процессоров, программируемых ло-
гических интегральных схем (в частности, программируемых пользо-
вателем вентильных матриц), дисплеев на основе органических свето-
диодов, микроэлектромеханических систем (МЭМС) и многих других.
За последние несколько десятилетий размеры элементов изделий
микроэлектроники значительно уменьшились: от десятков и единиц
микрон до наноразмерного уровня, что, в свою очередь, ставит перед
производителями новые задачи как в области совершенствования ли-
тографического оборудования и процесса литографии, так и в области
использования новых принципов при проектировании нового обору-
дования. Результатом решения таких задач стало повышение разреше-
ния, равномерности, воспроизводимости, допусков на размеры, точ-
ности совмещения большого числа топологических слоев. Однако эти
усовершенствования привели к тому, что литография в настоящее вре-
мя является одним из основных и самых дорогостоящих технологиче-
ских процессов в планарной технологии, используемой в производстве
полупроводниковых приборов, как по технологическим приемам, так
и по применяемым инструментальным методам.
Качество проведения процесса литографии (размеры топологиче-
ских структур, угол наклона стенок профиля структур, толщины, ка-
чество переноса проектных структур на подложку и т.д.), помимо ин-
струментальных возможностей, в первую очередь, определяется типом
и толщиной плeнки резиста, также крайне важным параметром являет-
ся однородность, или равномерность, еe нанесения. Высокая степень
однородности плeнки может быть достигнута методом центрифугиро-
вания, при этом толщина резиста будет зависеть от скорости вращения
подложки (несколько тысяч оборотов в минуту).
В настоящей работе приведено описание отработки технологи-
ческого процесса нанесения резиста
Ultra-i
123-0.35, как наиболее
чувствительного к излучению в диапазоне так называемой
i
-линии
ртути (около 360 нм). Для контроля толщины, химического состава
и однородности нанесения резиста в работе применялся метод ИК-
спектральной эллипсометрии. Такой метод широко используется для
определения толщин и оптических свойств тонких пленок [1–5], изме-
нений химического состава в результате модификации [6–8], диффу-
зионного размытия слоев наноразмерных гетероструктур в результате
термического воздействия и т.п. [9–11].
Методика исследований.
Образцами для исследований явля-
лись заготовки для шаблонов компании Clean Surface Technology Co.
126 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2015. № 6