Технология изготовления дифракционных и голограммных оптических элементов с функциональным микрорельефом поверхности методом плазмохимического травления - page 6

Таблица 2
Матрица планирования и результаты первого эксперимента 2
2
№ опыта
x
1
x
2
x
1
x
2
H
, нм
v
тр
, нм/мин
r U
см
, В
p
, Па
t
, мин
1
+ 1 + 1 + 1 220
12,94 3,38 – 264 0,82 17
2
– 1 + 1 – 1 273
9,10
4,2 – 297 0,77 30
3
+ 1 – 1 – 1 76
3,43
1,17 – 136 1,0 30
4
– 1 – 1 + 1 115
3,83
1,77 – 144 0,93 30
Полученные уравнения регрессии имеют вид:
H
= 171
23
x
1
+ 75
,
5
x
2
3
,
5
x
1
x
2
;
v
тр
= 7
,
325 + 0
,
86
x
1
+ 3
,
695
x
2
+ 1
,
06
x
1
x
2
;
r
= 2
,
63
0
,
355
x
1
+ 1
,
16
x
2
0
,
055
x
1
x
2
;
U
см
=
210
,
25 + 10
,
25
x
1
70
,
25
x
2
+ 6
,
25
x
1
x
2
;
p
= 0
,
88 + 0
,
03
x
1
0
,
085
x
2
0
,
005
x
1
x
2
.
(1)
Анализируя уравнения регрессии (1), можно заключить, что сама
по себе скорость травления стекла
v
тр
возрастает с увеличением как
мощности на антенне, так и мощности на столике. Однако влияние
исследуемых факторов на другие параметры носит разнонаправлен-
ный характер: увеличению глубины
H
и селективности
r
травления
способствует повышение установленной мощности на столике
P
ст
от
100 Вт до 200 Вт, а также снижение установленной мощности на ан-
тенне
P
а
от 350 Вт до 250 Вт.
Такой характер влияния факторов объясняется тем, что с ростом
мощности ВЧ излучения, вводимого в плазму, возрастает скорость
травления не только стекла, но, по-видимому, и хрома — материала
маски.
Рассмотрение параметров, формируемых непосредственно в про-
цессе ПХТ, а именно напряжения автосмещения на столике
U
см
и
давления
p
в рабочей камере, показывает, что эти параметры хорошо
коррелируются с основным целевым параметром ПХТ — селективно-
стью травления
r
. О повышении селективности травления могут сви-
детельствовать увеличение напряжение автосмещения и уменьшение
давления.
Об особенностях протекания процессов в зоне взаимодействия
плазмы с образцом можно судить по результатам профилографиче-
ских исследований, приведенных на рис. 2. Так, при реализации опыта
с
P
а
= 350
Вт и
P
ст
= 100
Вт (рис. 2,
б
) образуются выступы по краям
вершин профиля и углубления в местах переходов впадин профиля в
вертикальные стенки.
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2010. № 2 97
1,2,3,4,5 7,8,9,10,11,12,13
Powered by FlippingBook