В качестве оборудования рекомендуется применять отечественную
установку ПХТ Caroline 15 PE. Для обеспечения возможности реализа-
ции процесса ПХТ на оптическом стекле, являющемся диэлектриком,
разработан блок специальной конструкции, снабженный заземленным
экраном.
Для сохранения полированности участков поверхности заготовки,
находящихся под маской, рекомендуется после операции ПХТ удалять
остатки маски кислотным травлением. При этом для получения глубин
профиля более 400 нм рекомендуется применять хромовую маску с
исходной толщиной 200 нм.
Полирующее травление боросиликатного стекла обеспечивается
при следующем режиме, который можно рекомендовать в качестве
рационального: мощность на антенне составляет 250 Вт; мощность на
столике — 200 Вт; в качестве плазмообразующего газа применяются
аргон с расходом 0,3 л/мин или азот с расходом 0,4 л/мин; расход хими-
чески активного газа — фреона (тетрафторида углерода) – составляет
2. . . 3 л/мин.
При полирующем травлении стекла можно обеспечивать скорость
травления до 20 нм/мин при селективности травления стекла относи-
тельно хрома до 3,8.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Т е х н о л о г и я создания ДОЭ / В кн.: Методы компьютерной оптики. – М.:
Физматлит, 2003. – С. 238–309.
2. П л а з м е н н а я технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрукa и
Д. Брауна: Пер. с англ. – М.: Мир, 1987.
3. F l a m m D. L., D o n e l l y V. M. Basic Principals of Plasma Etching // VISI
Electronics. Microstructure Science. N.-Y.: Academic Press. 1985. Vol. 8. – P. 190–
251.
4. P e r r y A. J., B o s w e l l R. W. Fast anisotropic etching of silicon in an inductively
coupled plasma reactor // Appl. Phys. Lett. 55(2), 10 July 1989.
5. С л о в е ц к и й Д. И. Гетерогенные реакции в галогенсодержащей плазме //
Химия плазмы. – 1989. – Вып. 15. – С. 208–265.
6. F l a m m D. L., D o n e l l y V. M. The disign of plasma etchants // Plasma
Chemistry and Plasma Processing. – 1981. Vol. 4. – P. 317–363.
7. И в а н о в с к и й Г. Ф., П е т р о в В. И. Ионно-плазменная обработка мате-
риалов. – М.: Радио и связь, 1986.
8. W i n t e r s H. F., C o b u r n J. W. Surface science aspects of etching reactions //
Surface Science Reports. North Holland. – 1992. – Vol. 14. – P. 161–269.
9. E t c h i n g of Pyrex glass substrate by unductively coupled plasma reactive ion
etching for micro-nanofluidic devices // J. Vac. Sci. Technol. B 24(6), Nov/Des 2006.
– P. 3162–3164.
10. H i g h selectivity plasma etching of silicon dioxide with a dual frequency 27/2 MHz
capacitive radio frequency discharge // J. Vac. Sci. Technol. B 14(5), Sep/Oct 1996.
– P. 3276–3282.
11. G l a s s difractive optical elements (DOEs) with complex modulation DLC thin
Film Coated // Materials Research. – 2008. – Vol. 11, No. 3. – P. 341–345.
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2010. № 2 103
