

В.Г. Цепулин, В.Л. Толстогузов, Р.О. Степанов
10
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2017. № 3
мерения толщины. Оценочное значение погрешности незначительно превыша-
ет полученное в результате эксперимента, что объясняется использованием ли-
нейного приближения регрессионной модели. На точность оценки также может
влиять отклонение плотности распределения вероятности коэффициента отра-
жения от нормального закона и отличие среднеквадратического отклонения
коэффициента отражения для различных длин волн. Отметим, что полученные
оценки погрешностей не учитывают систематические погрешности измерения и
их оценку необходимо проводить отдельно, используя выражение (1).
Выводы.
На результирующую погрешность измерения толщин пленочных
структур может влиять множество факторов, таких как шумы приемника и ис-
точника излучения, неточности учета их спектральных характеристик, аберра-
ции оптической системы. Комплексное влияние этих факторов на погрешность
измерения толщин может быть оценено с использованием значений функции
невязки, полученных в процессе решения обратной задачи.
Проведенные исследования показывают, что линеаризованная регрессион-
ная модель может быть использована, чтобы с достаточно высокой точностью
оценить случайные погрешности измерения толщин. Отклонение оценочного
значения среднеквадратического отклонения от его экспериментального значе-
ния для исследуемого эталонного образца составило доли нанометров и не бо-
лее 30 % значения погрешности.
Полученные в работе результаты могут быть использованы для выбора та-
ких параметров измерения толщин, при которых будет достигнута минималь-
ная погрешность их измерения.
ЛИТЕРАТУРА
1.
Leng J.M., Sidorowich J.J., Yoon Y.D., Opsal J.
Simultaneous measurement of six layers in a
silicon on insulator film stack using spectrophotometry and beam profile reflectometry //
Journal of Applied Physics. 1997. Vol. 81. No. 8. P. 3570–3578. DOI: 10.1063/1.364994
URL:
http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.3649942.
Kim D., Kim S., Kong H.J., Lee Yu.
Measurement of the thickness profile of a transparent
thin film deposited upon a pattern structure with an acousto-optic tunable filter // Optics
Letters. 2002. Vol. 27. No. 21. P. 1893–1895. DOI: 10.1364/OL.27.001893
URL:
https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-27-21-1893&origin=search3.
Борн М., Вольф Э.
Основы оптики. М.: Наука, 1973. 720 с.
4.
Ylilammi M., Rantaaho T.
Optical determination of the film thicknesses in multilayer thin
film structures // Thin Solid Films. 1993. Vol. 232. No. 1. P. 56–62.
DOI: 10.1016/0040-6090(93)90762-E
URL:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/004060909390762E5.
Konstantinov I., Babeva T., Kitova S.
Analysis of errors in thin-film optical parameters
derived from spectrophotometric measurements at normal light incidence // Applied Optics.
1998. Vol. 37. No. 19. P. 4260–4267. DOI: 10.1364/AO.37.004260
URL:
https://www.osapublishing.org/ao/abstract.cfm?uri=ao-37-19-4260