Previous Page  9 / 12 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 9 / 12 Next Page
Page Background

В.Е. Драч

12

ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2017. № 1

скорее всего ввиду значительного заряда в медленных приграничных ловушках

после первого измерения

I

d

–V

g

.

Физический смысл максимального значения ТСПХ можно объяснить сле-

дующим образом. Положение максимума ТСПХ по оси

V

g

показывает началь-

ную точку, с которой неосновные носители активно начинают заполнять пустые

медленные приграничные ловушки. Амплитуда максимума ТСПХ соответствует

наибольшей разности токов стока до и после зарядки медленных приграничных

ловушек неосновными носителями заряда, следовательно, качественно отобра-

жает число медленных приграничных ловушек в подзатворном диэлектрике,

или ловушек, которые заряжаются неосновными носителями во время проведе-

ния измерений

I

d

–V

g

. Это справедливо при низкой (средней) плотности состоя-

ний на поверхности раздела. Следовательно, ТСПХ можно использовать в каче-

стве средства мониторинга медленных приграничных ловушек или как показа-

тель деградации.

Кроме перечисленных выше причин, снижение эффективной подвижности

μ

eff

в линейной области может уменьшить крутизну кривой

I

d

(

V

g

), что повлечет

снижение ТСПХ. В первом приближении кривые

I

d

(

V

g

) и (Δ

I

d

,TC

) в линейной

области могут быть представлены в виде [9, 10]:

1

;

2

d

ox eff

g

th

d d

W I

C V V V V

L

  

,2

,1

,ТС

.

d

ox eff

th

th d

ox eff

th d

W

W

I

C V V V C V V

L

L

 

  

Приведенные выражения точно описывают влияние величины

μ

eff

на ТСПХ.

Однако, пока не ясно, что играет более важную роль в снижении эффективной

подвижности, ловушки на поверхности раздела или приграничные ловушки.

Заключение.

Специально для изучения сдвига проходных характеристик по-

левого транзистора была разработана методика, которая включает в себя две фазы:

1) фазу разрядки; 2) фазу измерения

I

d

–V

g

. Сдвиг наблюдается при рассмотре-

нии двух последовательно снятых кривых во время прямых измерений

I

d

–V

g

.

Это явление тесно связано с медленными приграничными ловушками. За-

рядка медленных приграничных ловушек вызывает сдвиг тока стока. Исследования

показывают, что медленные приграничные ловушки заряжаются неосновными но-

сителями зарядов в линейной области при первой развертке

I

d

–V

g

. Это явление

ослабляет проходную проводимость первой развертки

I

d

–V

g

и смещает ток стока

при второй развертке. Рассмотрен физический смысл максимума ТСПХ. Описан-

ная методика исследования медленных ловушек основана на проведении последо-

вательных измерений проходных характеристик. Такая методика не предъявляет

высоких требований к аппаратной реализации, может быть рекомендована как

простой и недорогой инструмент для изучения ловушек заряда, расположенных

вблизи поверхности раздела Si–SiO

2

МДП-транзистора.