Анализ сдвига проходных характеристик МДП-транзистора

10 / 12

Анализ сдвига проходных характеристик МДП-транзистора
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2017. № 1 13
ЛИТЕРАТУРА
1. Border traps: Issues for MOS radiation response and long-term reliability / D.M. Fleetwood,
M.R. Shaneyfelt, W.L. Warren, J.R. Schwank, T.L. Meisenheimer, P.S. Winokur // Microelec-
tronics Reliability. 1995. Vol. 35. No. 3. P. 403–428.
2. Fleetwood D.M. Fast and slow border traps in MOS devices // IEEE Transactions on Nuclear
Science. 1996. Vol. 43. No. 3. P. 779–786. URL:
509743 DOI: 10.1109/RADECS.1995.509743
3. Bauza D. Detection of slow traps in the oxide of MOS transistors by a new current DLTS
technique // Electronics Letters. 1994. Vol. 30. No. 6. P. 484–485.
4. Wang T., Chiang L.P., Zous N.K., Chang T.E., Huang C. Characterization of various stress-
induced oxide traps in MOSFET's by using a subthreshold transient current technique // IEEE
Transactions on Electron Devices. 1998. Vol. 45. No. 8. P. 1791–1796.
URL: DOI: 10.1109/16.704380
5. Scarpa A., Paccagnella A., Ghidini G. Instability of post-Fowler — Nordheim stress measu-
rements of MOS devices // Solid-State Electronics. 1997. Vol. 41. No. 7. P. 935–938.
6. Драч В.Е., Смирнова О.М., Чухраев И.В. Генерация заряда в транзисторах с нанораз-
мерным диэлектриком // Вопросы радиоэлектроники. 2012. Т. 1. № 3. С. 115–122.
7. Драч В.Е., Родионов А.В. Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быст-
родействующего полевого транзистора // Электромагнитные волны и электронные си-
стемы. 2014. Т. 19. № 10. С. 79–84.
8. Драч В.Е., Родионов А.В. Приграничные ловушки в наноразмерном подзатворном ди-
электрике полевого транзистора // В мире научных открытий. 2014. Т. 58. № 10. С. 67–79.
URL:
DOI: 10.12731/wsd-2014-10-5
9. Arora N. MOSFET models for VLSI circuit simulation, theory and practice. New Jersey:
World Scientific, 2007.
10. Taur Y., Ning T.H. Fundamentals of modern VLSI devices. New York: Cambridge Press,
2009.
11. Sze S., Ng K.K. Physics of semiconductor devices. New York: Wiley, 2006.
12. Khare M., Wang X.W., Ma T.P. Transconductance in nitride-gate or oxynitride-gate
transistors // IEEE Electron Device Letters. 1999. Vol. 20. No. 1. P. 57–59.
URL: DOI: 10.1109/55.737573
Драч Владимир Евгеньевич — канд. техн. наук, доцент кафедры «Конструирование и
производство электронной аппаратуры» Калужского филиала МГТУ им. Н.Э. Баумана
(Российская Федерация, 248000, Калуга, ул. Баженова, д. 2).
Просьба ссылаться на эту статью следующим образом:
Драч В.Е. Анализ сдвига проходных характеристик МДП-транзистора // Вестник МГТУ
им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2017. № 1. C. 4–15.
DOI: 10.18698/0236-3933-2017-1-4-15