ЛАЗЕРНЫЕ И ОПТИКО
-
ЭЛЕКТРОННЫЕ
СИСТЕМЫ
УДК
621.396.967.7
В
.
Е
.
К а р а с и к
,
М
.
Д
.
Х о т я к о в
ПРОЕКТИРОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМ
ФОРМИРОВАНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ
ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ
Приведены основные принципы проектирования оптических систем
формирования излучения для многоэлементных полупроводниковых
лазеров
.
Рассмотрено распространение излучения в оптическом ин
-
теграторе с переменным сечением
.
Предложена методика оптими
-
зации параметров оптических систем формирования излучения
.
При разработке осветителей для активных оптико
-
электронных
приборов наиболее серьезной проблемой является создание оптималь
-
ной оптической системы формирования излучения
(
ОСФИ
).
ОСФИ
должна концентрировать лазерное излучение в заданном угле подсве
-
та
,
передавать энергию излучения в требуемом направлении с мини
-
мальными потерями
,
формировать пятно подсвета требуемой формы и
размеров с однородным распределением энергетической яркости
.
Для создания малогабаритных осветителей целесообразно исполь
-
зовать в качестве источника излучения полупроводниковые лазеры
.
Это обусловлено
,
в первую очередь
,
тем
,
что по сравнению с другими
типами лазеров они обладают наибольшим КПД и минимальными мас
-
сой
,
габаритными размерами и энергопотреблением
,
имеют большой
срок службы и устойчивость к механическим и климатическим воз
-
действиям
.
Особый интерес представляют многоэлементные полупро
-
водниковые лазеры
—
решетки
,
не требующие охлаждения
.
Данные
источники излучают импульсы мощностью до
2500
Вт и длительно
-
стью порядка сотен наносекунд с частотой повторения до несколь
-
ких килогерц
,
поэтому они могут применяться в активно
-
импульсных
лазерных системах видения
,
обладающих повышенной помехозащи
-
щенностью за счет использования стробирования
.
Помимо присущих
всем полупроводниковым источникам недостатков
,
таких как большая
угловая расходимость излучения
,
лазерные решетки имеют резко выра
-
женную дискретную структуру тела свечения
,
что усложняет создание
оптимальной ОСФИ
.
Действительно
,
для ОСФИ
,
построенной по схе
-
ме прожектора на основе обычных или анаморфотных проекционных
объективов
,
пятно подсвета в дальней зоне имеет дискретную структу
-
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Приборостроение
". 2004.
№
3 3
