Проектирование оптических систем формирования излучения для полупроводниковых лазеров - page 7

плавно уменьшается
,
но при достижении некоторого значения величи
-
на угла
ϕ
вых
скачкообразно возрастает на величину
,
равную двойному
углу наклона боковой грани интегратора к оптической оси
.
Графики
имеют ступенчатый вид
,
потому что величина
m
(
количество отраже
-
ний
)
может быть только неотрицательным целым числом
.
Исключени
-
ем из данного правила является интегратор в виде параллелепипеда
:
в
нем угол
ϕ
вых
не зависит от длины интегратора и равен углу
ϕ
вх
.
Из приведенных на рис
. 3
графиков видно
,
что для интегратора с
переменным сечением выходного торца угол
ϕ
вых
не будет равен углу
ϕ
вх
,
как для интегратора с постоянным сечением
,
а будет больше его
.
При небольших длинах интегратора с переменным сечением выходно
-
го торца данный луч будет виньетироваться проекционным объекти
-
вом
.
Это имеет важное значение
,
поскольку от этого зависит коэффи
-
циент использования излучения
.
На основе формул
(8)
и
(9)
написаны программы
,
с помощью кото
-
рых определяют коэффициент неравномерности распределения энер
-
гетической яркости на выходном торце интегратора и коэффициент
использования излучения ОСФИ
.
Пользуясь данными программами
,
можно найти зависимость
L
и
(
D
2
)
,
для которой выполняются следую
-
щие условия
:
1)
коэффициент неравномерности распределения освещенности
K
н
составляет не более
10 %;
2)
коэффициент использования излучения ОСФИ
K
ис
составляет не
менее
90 %.
По разработанной методике спроектирована ОСФИ на основе ла
-
зера
,
формирующая пятно подсвета с угловыми размерами
1
×
2
и
относительным отверстием проекционного объектива
1:1,5.
Техниче
-
ские характеристики полупроводникового лазера
,
на основе которого
спроектирована ОСФИ
,
следующие
:
Выходная мощность
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400
Вт
Длина волны
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 808
нм
Спектральная ширина
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
менее
4
нм
Длина импульса
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
до
0,4
мс
Частота импульсов
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
до
20
Гц
Размеры излучающей площадки
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
×
5
мм
2
Шаг между линейками диодов
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,5
мм
(20
линеек
)
Расходимость
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
×
5
град
На рис
. 4
представлены зависимости коэффициента использования
излучения ОСФИ от длины интегратора
,
построенные программой на
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Приборостроение
". 2004.
3 9
1,2,3,4,5,6 8,9
Powered by FlippingBook