Рис. 5. Температурная зависимость удельного сопротивления поликремниевых
резисторов в диапазоне 300. . . 400 K при различных дозах легирования:
1, 3, 5, 7, 9
— экспериментальные данные при
D
= 3
,
03
∙
10
13
;
3
,
81
∙
10
13
;
5
,
05
∙
10
13
;
7
,
63
∙
10
13
и
1
,
52
∙
10
14
см
−
2
соответственно;
2, 4, 6, 8, 10
— расчетные температурные
зависимости при
D
= 3
,
03
∙
10
13
;
3
,
81
∙
10
13
;
5
,
05
∙
10
13
;
7
,
63
∙
10
13
и
1
,
52
∙
10
14
см
−
2
соответственно
малыми концентрациями поверхностных состояний на границе зерна.
Высота барьера складывается из постоянной составляющей, опреде-
ляемой рассеянием на границе зерна, и переменной составляющей,
которая зависит от концентрации примеси и определяется поверхност-
ными состояниями на границе зерна. Поскольку суммарная высота
барьера не изменяется, то переменная составляющая пренебрежимо
мала, что возможно при малых поверхностных концентрациях лову-
шек на границе зерна. Расчеты показывают, что такая зависимость
высоты потенциального барьера от дозы легирования возможна при
концентрации поверхностных состояний порядка
10
11
см
−
2
.
Температурная зависимость при суммарной дозе легирования
D
= 5
,
05
∙
10
13
см
−
2
была рассчитана в соответствии с описанной
моделью до температуры минус 60
◦
С. Результат экстраполяции при-
веден на рис. 6.
Рис. 6. Расчетная температурная зависимость удельного поверхностного со-
противления поликремниевых резисторов при дозе легирования
5
,
05
∙
10
13
см
−
2
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2011. № 1 73
