7 / 11
А.С. Бабурин, А.Р. Габидуллин, А.В. Зверев
10
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2016. № 6
Рис. 6.
График зависимости размера кристаллита от температуры
Рис. 7.
График зависимости размера кристаллита от скорости осаждения
Рис. 8.
График зависимости сплошности пленок от скорости осаждения
Сплошность пленок определена посредством обработки СЭМ-изображений
(ПО ImageJ) в поле 5 × 5 мкм
2
по проценту заполнения белого и черного бина-
ризированных изображений; выявлена зависимость от скорости осаждения
пленки, не зависящая от температуры подложки (см. рис. 8).
Зависимость монотонно возрастает в области параметров эксперимента.
Для малых значений скоростей она определяется первой степенью скорости
осаждения, с ее увеличением добавляется вклад второй степени аргумента. Ве-
роятно, это можно объяснить доминирующим ростом серебра другой ориента-
ции, позволяющим получить пленку одного уровня.
Выводы.
Исходя из изменения свободной энергии единицы поверхности
раздела подложка–среда для роста монокристаллической пленки серебра вы-
браны подложки из слюды, кремния и сапфира для проведения экспериментов