3 / 11
А.С. Бабурин, А.Р. Габидуллин, А.В. Зверев
6
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2016. № 6
Из таблицы следует, что из неметаллических подложек для формирования
монокристаллической сплошной пленки лучше подходят NaCl, KCl и слюда
(mica). Однако эти подложки не технологичны: NaCl и KCl — водорастворимые
кристаллы, а слюда — минерал с низкими механическими характеристиками.
Рост монокристалла также возможен на более широко применяемых подложках
из кремния (Si) и сапфира (Al
2
O
3
), совместимых с технологиями микроэлек-
тронного производства. В экспериментах были использованы слюда, кремний и
сапфир (рис. 1).
Рис. 1.
СЭМ-изображение серебряной пленки на слюде (
а
), кремнии (
б
) и сапфире (
в
)
После выбора системы подложка–материал необходимо выбрать экспери-
ментальное поле варьирования параметров осаждения. Это возможно сделать,
используя известный подход энергомассопереноса [12, 13] (штриховые линии
на рис. 2). Исходя из соотношения поступающего материала и энергии системы,
можно сделать вывод о структуре осаждаемой пленки, а также предположить,
что для формирования монокристаллической пленки необходимы высокие
энергии подложки и низкое насыщение.
Рис. 2.
Экспериментальные зависимости структуры пленки от параметров нанесения
(температуры подложки и скорости осаждения)