6 / 11
Получение пленок серебра методом электронно-лучевого испарения…
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2016. № 6
9
Рис. 4.
СЭМ-изображение серебряной пленки на слюде, нанесенной
при температуре 470
о
С со скоростью 0,5 Å/с (
а
) и 1 Å/с (
б
)
Менее упорядоченный рост с изменением механизма наблюдается для пле-
нок, нанесенных при температурах 200 и 350
о
С (см. рис. 2). Размеры кристалли-
тов получаются значительно меньше — порядка 200 и 600 нм. Но при этом
с увеличением скорости до 4 Å/с полученные пленки имеют однородную по-
верхность (рис. 5).
Рис. 5.
СЭМ-изображение серебряной пленки на слюде, нанесенной
со скоростью 4 Å/с при температуре 200
о
С (
а
) и 350
о
С (
б
)
В результате проведенных экспериментов получены сплошные пленки тол-
щиной 200 нм с размером кристаллитов более микрона. Аспектное отношение
размера кристаллита к толщине пленки для 100 % сплошных пленок составило
больше 5:1.
Экспериментально получены зависимости роста пленки от параметров оса-
ждения (рис. 6–8). Характеры зависимости размера кристаллита совпадают
с предположениями, выдвинутыми при определении критериев эксперимента.
На рис. 6 приведен график зависимости размера кристаллита от температу-
ры подложки для различных скоростей осаждения. Видно, что именно этот
фактор является доминирующим. Отмечены линейные зависимости для разных
групп скоростей.
Для одинаковых температур прослеживается уменьшение размера кристал-
лита при увеличении скорости осаждения. Зависимость носит полиномиальный
характер, с преобладанием первой степени в области значений, соответствую-
щих экспериментальным данным (см. рис. 7).