Previous Page  5 / 11 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 5 / 11 Next Page
Page Background

А.С. Бабурин, А.Р. Габидуллин, А.В. Зверев

8

ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2016. № 6

Рост квазимонокристаллической пленки оказался возможен только

на подложке из слюды. У пленок, сформированных на слюде, среднегеометри-

ческая шероховатость не превысила 1,5 нм. Для пленок, сформированных на

кремнии и сапфире, измеренная стилусным профилометром среднегеометриче-

ская шероховатость на опорной длине 500 мкм превысила 10 нм. Как видно на

СЭМ-снимах, это объясняется ростом трехмерных кристаллов, который иници-

ализируется изменением свободной энергии единицы поверхности после нане-

сения первых слоев (Δ

> 0, см. таблицу).

Проведена серия экспериментов для получения зависимостей, определяющих

структуру растущей пленки в подходе с использованием соотношений энергомас-

сопереноса. Их характер известен из литературы [12, 13] и сохраняется для мате-

риалов большого спектра. Но для определения значений критических точек и

точек перегиба для конкретной системы подложка–материал, необходим ряд эм-

пирических значений. На основе экспериментальных данных построены кривые,

ограничивающие области получения пленок с мелкозернистой (рентгеноаморф-

ной), поликристаллической и квазимонокристаллической структурами (см.

рис. 2). Их характер совпадает с приведенными данными в литературе и позволя-

ет ограничить область дальнейших исследований. Как следует из зависимостей,

для формирования кристаллитов необходимы температуры более 200

С и скоро-

сти осаждения, не превышающие несколько ангстрем в секунду.

Данный подход позволяет объяснить три типа наблюдаемой морфологии

роста. Для пленок, нанесенных на подложки при комнатной температуре, не

наблюдается упорядоченного роста зерен. Это соответствует области поликри-

сталлической пленки. Присутствуют как маленькие зерна (<10 нм), так и боль-

шие кристаллиты (несколько сотен нанометров) (рис. 3).

Рис. 3.

Пленка серебра на слюде, полученная при комнатной температуре,

нанесенная со скоростью 10 Å/с (слева) и 150 Å /с (справа)

Упорядоченный рост кристаллитов и их максимальный размер ожидаемо

получаются при наиболее высоких температурах — порядка 500

о

С (рис. 4). Это

соответствует области монокристаллической пленки. Их размер составляет от

полумикрона до нескольких микрометров. Для данных температур наибольшей

сплошности удалось добиться при скорости осаждения 1 Å/с. Сплошная область

составила более 90 %.