Previous Page  8 / 12 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 8 / 12 Next Page
Page Background

Окончание таблицы

Объект

теплового

контроля

Обнаруживаемые дефекты

Примечания

Конденса-

торы

Пробой электролити-

ческих конденсаторов;

замыкания слоев конден-

саторов в микросхемах.

Контроль осложнен низким уровнем

сигнала и наличием излучательной по-

мехи.

Проводники Утонения; трещины.

Используют контактный нагрев элек-

трическим током и бесконтактный СВЧ-

нагрев. Производительность теплового

контроля до 4 м в минуту. Фиксиру-

ют изменения толщины проволоки до

20 мкм.

Катодные уз-

лы

Неравномерность покры-

тия.

Повышение температуры на 50. . . 60

C

снижает долговечность катода на поря-

док. Тепловой контроль в режиме глу-

бокого недокала уменьшает производ-

ственные допуски и исключает рентге-

нотелевизионный контроль.

Высокотем-

пературные

пленочные

покрытия

Отслоения от подложки;

неравномерность толщи-

ны.

Наиболее эффективен нестационарный

тепловой контроль. Время существо-

вания полезных сигналов до десятков

миллисекунд.

Контроль

сварки

выводов ин-

тегральной

схемы

Несплавление вывода с

площадкой; расплавление

золотого покрытия в меж-

электродном зазоре; сте-

кание золота на контакт-

ную площадку; расплавле-

ние выводов интегральной

схемы и появление углу-

блений; перегорание вы-

вода и контактной пло-

щадки.

При стандартном точечном тепловом

воздействии температурные отклики

бездефектных сварных соединений ха-

рактеризуются определенными значе-

ниями амплитуды и характерного вре-

мени теплопередачи. Проблема — раз-

брос излучательных свойств.

Пример применения теплового контроля в микроэлектронике —

неразрушающий контроль качества корпусирования интегральных

схем [5]. Схема обнаружения дефектов сварки выводов кристалла

микросхемы с контактными площадками корпуса приведена на рис. 4.

В таком случае источником теплового излучения является увеличе-

ние плотности тока через дефектное соединение. Причины дефектов —

повышение электрического и теплового сопротивления при сварке.

Термограмма корпуса микросхемы с дефектами корпусирования пред-

ставлена на рис. 5,

а

.

Кроме описанных выше дефектов, которые могут быть выявле-

ны на этапе контроля при производстве, тепловой контроль также

с успехом применяется при разработке электронной аппаратуры для

10 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2016. № 1