УДК 658.51
В. А. Ш а х н о в, Л. А. З и н ч е н к о,
Е. В. Р е з ч и к о в а, А. Е. А в е р ь я н и х и н
АЛГОРИТМЫ ТРАНСФОРМАЦИИ
ТОПОЛОГИИ СУБМИКРОННЫХ
СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Описаны алгоритмы трансформации топологии субмикронных
СБИС, ориентированные на применение для некоторых классов
сложнофункциональных блоков, проектируемых для последующего
производства по технологии двойного фотошаблона и удовлетво-
ряющих условиям воспроизведения заданной топологии по техноло-
гии двойного фотошаблона. Показано, что для решения проблемы
нахождения проектных решений необходимо использование прие-
мов разрешения технических противоречий.
E-mail:
Ключевые слова
:
топология, СБИС, двойной фотошаблон.
Гордон Мур 40 лет назад сумел предугадать фантастические темпы
развития всей отрасли электроники на несколько десятилетий вперед
[1] и предсказать, что число транзисторов на чипе будет увеличивать-
ся в 2 раза каждые 24 месяца. В настоящее время в соответствии с
законом Мура продолжается масштабирование микросхем, последова-
тельно осваиваются топологические нормы 90, 65, 45 нм. В соответ-
ствии с концепцией “Более Мур”, предложенной в документах ITRS
[2] в 2007 г., представляется возможным появление еще нескольких
поколений микросхем на основе традиционных подходов.
Однако с переходом к проектным нормам глубокого субмикро-
на (130 нм и далее) в конструировании интегральных схем возникли
принципиально новые проблемы. Чем меньше критические размеры
(Critical Dimensions (CD)) элементов интегральных схем, тем ближе
предел, при котором начинают сказываться фундаментальные огра-
ничения КМОП-технологии. При дальнейшей микроминиатюризации
эффекты близости продуцируют вредные связи, снижающие точность
воспроизводства геометрических фигур топологического слоя. По
мнению ряда крупнейших аналитиков [3], предельные возможности
полупроводниковых технологий будут исчерпаны, когда топологи-
ческая (проектная) норма микросхем перешагнет границу 20 нм и
приблизится к отметке 18 нм.
Известно [2], что при проектировании и производстве интеграль-
ных схем важную роль играют процессы литографии. При достижении
физических пределов литографического процесса затраты на совер-
шенствование интегральных схем экспоненциально возрастают. По-
этому производители интегральных схем пытаются всеми способами
76 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2011. № 1
