использовать возможные ресурсы для повышения разрешающей спо-
собности проекционной оптической литографии с помощью таких ин-
новаций, как, например, фазосдвигающие фотошаблоны и внеосевое
освещение [2]. Среди множества различных подходов в документах
ITRS [2] (рис. 1) отражены следующие основные направления даль-
нейшего развития литографии: литография жестким ультрафиолетом
(EUV); методики двойного экспонирования (double exposure), к кото-
рым и относится экспонирование с двойным фотошаблоном.
Литография EUV относится к обычной оптической литографии. Ее
отличительными особенностями являются использование излучения с
длиной волны 11. . . 14 нм и отражательных оптики и фотошаблонов.
Однако сложная зеркальная оптика и прецизионная технология изго-
товления фотошаблонов делает такой подход исключительно дорого-
стоящим. В связи с этим внимание исследователей сосредоточивается
на разработке литографических процессов, основанных на иных фи-
зических принципах.
В последние годы технология двойного фотошаблона привлекает
внимание многих исследователей. Это объясняется тем, что переход
на двухуровневые фотошаблоны позволяет снизить влияние эффектов
близости и повысить выход годных СБИС без радикального усложне-
ния технологии их производства.
Однако важнейшая для технологии двойного фотошаблона про-
цедура декомпозиции топологии на две подчасти не является триви-
альной и требует оценки всех возможных альтернативных решений
с учетом технологических ограничений. Выполнить эту процедуру
вручную весьма сложно. В связи с этим переход на технологию двой-
ного фотошаблона требует широкого использования систем автомати-
зированного проектирования. В настоящее время такое математиче-
ское и соответствующее ему программное обеспечение, позволяющие
проектировщику выполнить необходимую декомпозицию на тополо-
гическом уровне, находятся в стадии разработки. Указанные проблемы
еще более усложняются при проектировании современных устройств,
к которым, в частности, относятся системы на кристалле [4].
В соответствии с концепцией “Более Мур” разработка систем на
кристалле (System-on-Chip (SoC)) является одним из наиболее пер-
спективных направлений дальнейшего развития электроники. Совре-
менная методология проектирования SoC базируется на многократном
использовании сложнофункциональных блоков (Intellectual Property
блоков, IP-блоков) [4]. При этом стоимость сложнофункционально-
го блока в среднем в несколько раз превышает стоимость однократно
используемого блока. В связи с этим при переходе на технологию
двойного фотошаблона целесообразно максимально использовать су-
ществующие сложнофункциональные блоки. Для решения этой проб-
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2011. № 1 77
