|

Активный технологический контроль синтеза тонких пленок при производстве сверхбольших интегральных схем

Авторы: Образцов Д.В., Чернышов В.Н., Шахнов В.А. Опубликовано: 28.11.2017
Опубликовано в выпуске: #6(117)/2017  
DOI: 10.18698/0236-3933-2017-6-17-27

 
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Проектирование и технология приборостроения и радиоэлектронной аппаратуры  
Ключевые слова: тонкие пленки, напыление в вакууме, активный контроль, производство, сверхбольшие интегральные схемы

Рассмотрен метод активного технологического контроля электрофизических параметров тонких пленок, используемый при производстве сверхбольших интегральных схем. Приведен алгоритм реализации этого метода в целях достижения минимально допустимых отклонений параметров пленок, что позволяет производить такие схемы по более прогрессивным проектным нормам

Литература

[1] Корнюхин А.В., Курдюков С.А., Ланцев А.Н., Старилов М.В. Особенности проектирования фотошаблонов для производства наноразмерных полупроводниковых СБИС // Наноматериалы и наноструктуры — XXI век. 2012. № 2. С. 26–35.

[2] Mode optimization of retrograde pocket doping in SOI-MOS VLSI transistors / A.V. Amirkhanov, S.I. Volkov, A.A. Glushko, L.A. Zinchenko, V.V. Makarchuk, V.A. Shakhnov // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 4. P. 237–241. DOI: 10.1134/S106373971604003X URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S106373971604003X

[3] Беспалов В.А., Дьяконов В.М., Коршунов A.B. Методы уменьшения статической мощности, потребляемой наноразмерными СБИС // Успехи современной радиоэлектроники. 2012. № 10. С. 36–42.

[4] Качемцев А.Н., Киселев В.К., Смолин В.К. Технологические принципы изготовления перспективной энергонезависимой памяти // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 7. С. 13–26.

[5] Панфилов Ю.В. Нанесение тонких пленок в вакууме // Технологии в электронной промышленности. 2007. № 3. С. 76–80.

[6] Введение в физику поверхности / К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. М.: Наука, 2006. 490 с.

[7] Влияние давления рабочего газа на компонентный состав и свойства тонких пленок титаната бария-стронция / А.В. Тумаркин, А.Ю. Попов, М.В. Злыгостов, С.В. Разумов, А.Г. Гагарин // Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2016. Т. 2. № 1. С. 124–128.

[8] Способ синтеза наноструктурной пленки на изделии и устройство для его реализации / Д.В. Образцов, В.В. Гумбин, В.П. Шелохвостов, В.Н. Чернышов, М.В. Макарчук. Патент РФ 2466207. Заявл. 23.12.2010, опубл. 10.11.2012.

[9] Образцов Д.В., Чернышов В.Н., Шелохвостов В.П. Метод и система активного технологического контроля синтеза нанообъектов // Наноинженерия. 2015. № 8. С. 27–32.

[10] Kilimnik A.B., Nikiforova E.Y. Electrochemical behavior of nickel and its oxides in concentrated sodium hydroxide solutions // Russian Journal of Electrochemistry. 2013. Vol. 49. No. 12. P. 1122–1126. DOI: 10.1134/S1023193513120033 URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1023193513120033

[11] Платенкин А.В., Шелохвостов В.П., Баршутин С.Н. Разработка устройства воздействия электромагнитными полями на процесс плазмохимического синтеза нанообъектов // Вестник Тамбовского университета. Сер. Естественные и технические науки. 2010. Т. 15. № 1. С. 240–241.