Лазерный хoлoэллипсoметр рассеяния и отражения света одноосным двумерным кристаллом

Представлены впервые разработанные оптическая схема и принцип действия устройства, собранного как единая комбинация одновременно функционирующих холоэллипсометров in situ рассеяния и отражения поляризованного света образцом оптически одноосного двумерного кристалла в направлениях, близких к нормальному для образца. Представлены основные уравнения метода холоэллипсометрии, реализуемого адекватно с помощью приведенного устройства. Полученные в данной работе результаты существенно отличаются от известных в практике поляризационных измерений рассеяния света тем, что здесь впервые представлена возможность одновременного измерения в реальном времени не отношения модулей, а самих модулей комплексных амплитудных коэффициентов рассеяния и (а не или) отражения света в направлениях, близких к нормальному для исследуемого образца из оптически одноосного прозрачного двумерного кристалла, а также дополнительно и разности фаз для этих же комплексных амплитудных коэффициентов рассеяния и отражения света. Такая возможность одновременного измерения не двух, а шести экспериментальных параметров позволяет существенно повысить диагностические способности эллипсометрии как основы мониторинга создания и обработки двумерных наноструктурных образований.

Литература

[1] Алферов Ж.И. Нанотехнологии: перспективы развития в России // Наука Москвы и регионов. 2005. № 2. С. 41-47.

[2] Langereis E., Heil S.B.S., Knoops H.C.M., Keuning W., Van de Sandem Kessels W.M.M. In situ spectroscopic ellipsometry as a versatile tool for studying atomic layer deposition // J. Phys. D: Appl.Phys. 2009. Vol. 42.

[3] Конотопов М.В., Тебекин А.В. Концепция стратегии развития производственных технологий // Инновации и инвестиции. 2007. № 1 (9). С. 2-15.

[4] Аззам Р., Башар Н.М. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 584 c.

[5] Кирьянов А.П. Голоэллипсометрия in situ: основы и применения. М.: МГУДТ, 2003. 202 c.

[6] Интерференциoнная хoлoэллипсoметрия in situ прозрачного двумерного одноосного кристалла при нормальном отражении лазерного излучения / М. Али, Ю.Ю. Качурин, А.П. Кирьянов и др. // Вестник РУДН. 2012. № 1. С. 84-91.

[7] Germer T.A., Fasolka M.J. Characterizing surface roughness of thin films by polarized light scattering // Proc. SPIE. 2003, Vol. 5188. P. 264-275.

[8] Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. М.: Наука, 1965. 511 с.

[9] Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1980. 856c.

[10] Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1980. 532 c.

[11] Kovalev V.I., Rukovischnikov A.I., Rossukanyi N.M., Perov P.I. New high precion and high speed automatic ellipsometer with polarization switching for in situ control in semiconductor device technologies // Physics of Sеmiconductor Devices. New Delhi: Tata McGraw-Hill. 1990. P. 244-249.