щими выражениями
[2]:
f
−
1
=
√
n
2
n
a
sin
µ
l
a
r
n
2
n
a
¶
, h
=
1
√
n
2
n
a
tg
µ
l
a
2
r
n
2
n
a
¶
,
(
1
)
где
h
—
расстояние от главных плоскостей
H
1
,
H
2
до ближайшего торца
кристалла
.
В большинстве случаев для лазеров на кристаллах величина тепло
-
вой добавки является такой малой
,
что выполняется неравенство
l
a
√
n
2
¿
1
.
(
2
)
В этом случае выражения
(1)
упрощаются и приобретают вид
f
−
1
=
n
2
l
a
, h
=
l
a
2
n
a
.
(
3
)
Тепловая добавка
n
2
складывается из двух основных составляющих
n
2
т
и
n
2
к
.
Составляющая
n
2
т
определяется эффектом изменения показа
-
теля преломления кристалла при его нагреве
:
∆
n
= ∆
T
∂n
∂T
,
(
4
)
где
∆
n
—
изменение показателя преломления кристалла в некото
-
рой его точке
,
возникшее в результате изменения температуры на
∆
T
;
∂n/∂T
—
термооптический коэффициент
.
Выражение для
n
2
т
имеет
вид
[2]
n
2
т
=
µ
P
a
2
kV
a
¶µ
∂n
∂T
¶
,
(
5
)
где
P
a
—
поглощенная мощность накачки
;
k
—
постоянная Больцмана
;
V
a
—
объем активной среды
.
Составляющая
n
2
к
определяется эффектом теплового
“
выпучива
-
ния
”
торцов активного элемента
,
в результате которого поверхность
торцов приобретает выпуклую форму
,
подобную обычной линзе
.
Вы
-
ражение для
n
2
к
имеет вид
[2]
n
2
к
=
µ
P
a
n
a
2
kV
a
l
a
¶µ
∂l
∂T
¶
,
(
6
)
где
∂l/∂T
—
коэффициент теплового расширения материала крис
-
талла
.
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Приборостроение
". 2004.
№
2 5
