по градуировочной кривой термопарной лампы ЛТ-4 с учетом раз-
личия молекулярной теплопроводности воздуха и данного газа. Зна-
чения поправочных коэффициентов для неона, аргона и гелия взяты
из паспорта прибора ВТ-3, для ксенона коэффициент рассчитывался
согласно работам [9, 10]. Следует отметить, что в работе [8] дают-
ся завышенные на 10. . . 14% значения коэффициентов молекулярной
теплопроводности по сравнению с паспортными. На электроды ка-
меры подавалось напряжение 18,5. . . 25,5 В, что обеспечивало работу
в режиме насыщения тока. Временное разрешение, определенное по
дрейфовой скорости ионов, для амбиполярной диффузии в однород-
ном электрическом поле было не менее 10
−
7
с. Хорошая электромаг-
нитная экранировка камеры позволила надежно регистрировать токи
на уровне 1 мкА.
Результаты тестовых измерений спектрально-групповых коэффи-
циентов пропускания оптических окон для различных спектральных
интервалов в ВУФ показывают, что зависимость коэффициента про-
пускания в вакуумном ультрафиолете от энергии импульса в широком
диапазоне энергии излучения (
E
и
∼
10
2
. . .
10
3
Дж) слабая. В зависи-
мости от режима лучевого воздействия, определяемого спектрально-
мощностными характеристиками импульса излучения и геометрией
облучения, изменяются условия формирования зоны приповерхност-
ной светоэрозионной плазмы, что приводит к появлению частичной
экранировки оптического окна плазмой и проявляется в снижении ко-
эффициента пропускания при увеличении плотности энергии зонди-
рующего излучения.
Анализ абсорбционных спектров, качественно отражающих эф-
фективность транспортировки зондирующего излучения через опти-
ческие стенки, показывает, что воздействие мощных потоков ВУФ из-
лучения плазмы на оптические кристаллы приводит и к необратимым
изменениям поверхностной макроструктуры и их оптических характе-
ристик (проявлению эффекта накопления). При росте на
∼
30
% интен-
сивности зондирующего излучения
I
0
скорость фототермической де-
градации кристаллов увеличивалась в 2 раза и наиболее сильно эффект
старения кристаллов проявлялся в области
λ <
180
нм, уменьшение
коэффициента пропускания кристаллов обусловлено радиационными
потоками. Различие скоростей фототермической деградации исследу-
емых кристаллов обусловлено радиационной стойкостью в ВУФ, что
проявляется также в характере изменения макроструктуры поверхно-
сти под действием излучения (объемное растрескивание и мелкомас-
штабное поверхностное шелушение).
Таким образом, разработанный диагностический модуль позволя-
ет исследовать коэффициенты пропускания оптических материалов в
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2006. № 3 9
