Все статьи автора "Ганюшкина Н.В."
Новая конструкция усилителя мощности СВЧ-диапазона
Авторы: Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Панас А.И., Дудинов К.В. | Опубликовано: 27.01.2025 |
Опубликовано в выпуске: #4(149)/2024 | |
DOI: | |
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | |
Ключевые слова: гибридная интегральная схема, кристалл монолитной интегральной схемы, усилитель мощности, двухъярусная конструкция, электрические характеристики, ассогабаритные характеристики, теплопроводность |
Перспективы применения составных двухъярусных полевых транзисторов с барьером Шоттки в гибридной интегральной схеме усилителей мощности СВЧ-диапазона
Авторы: Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Панас А.И. | Опубликовано: 25.06.2023 |
Опубликовано в выпуске: #2(143)/2023 | |
DOI: 10.18698/0236-3933-2023-2-20-38 | |
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | |
Ключевые слова: составной двухъярусный полевой транзистор с барьером Шоттки, дополнительный теплоотвод, нитридгаллиевый полевой транзистор с барьером Шоттки, усилитель мощности, температура, массогабаритные характеристики, гибридная интегральная схема |