Перспективные полупроводниковые лазеры с мощностью излучения до 200 мВт для межспутниковых оптических линий связи

Выполнены комплексные исследования характеристик излучения нового поколения мощных лазерных излучателей на основе гетероструктур с квантоворазмерными слоями в непрерывном и импульсном режимах: энергетических, пространственных, спектральных и модуляционных. Последовательное развитие МОС-гидридной технологии выращивания гетероструктур позволило более чем в три раза (до 200 мВт) увеличить мощность излучения одномодовых лазерных излучателей на основе GaAlAs в диапазоне длин волн 0,8-0,85 мкм и InGaAs с длиной волны 0,98 мкм. Исследование параметров излучения в импульсно-кодовом режиме вплоть до частот модуляции 155 МГц показало, что разработанные лазеры можно использовать в передатчике информационного канала, работающем со скоростью 100 Мбит/с в аппаратуре межспутниковых оптических линий связи.