ляющая разные виды проводимости сверхпроводника (рис. 1,
г
):
E
=
E
c
sinh (
βJ/J
c
)
sinh (
β
)
,
если
J
≤
J
c
;
E
c
+
ρ
f
(
J
−
J
c
)
,
если
J > J
c
,
(5)
где
ρ
f
(
B
)
— удельное электрическое сопротивление в нормальном со-
стоянии;
β
— параметр, характеризующий пиннинг.
При
J
≤
J
c
существует только крип-эффект — сползание вихрей
с точек пиннинга, если
J > J
c
, то одновременно проявляется крип-
эффект и движение флюксоидов — появляется сопротивление
ρ
f
.
Модели для анализа источников электромагнитного поля в
ВТСП.
Близкую к
Flux-flowandFlux-creepModel
дает аппроксимирую-
щая функция удельного электрического сопротивления для всего диа-
пазона изменения плотности тока, предложенная в [8, 9],
E =
ρ
eff
J;
ρ
eff
= 0
,
5
ρ
n
{
1 + th[
−
K
(
T, B, J
)
/
(2
δ
)]
}
,
(6)
где
K
(
T, B, J
) = (1
−
T/T
c
)(1
−
B/B
c
(
T
))(1
−
J/J
c
(
T, B
))
;
T
c
, B
c
, J
c
—
значения критических параметров: температуры, магнитной индук-
ции, плотности тока. Характерный вид такой аппроксимации функции
ρ
eff
для разных значений магнитной индукции показан на рис. 2.
При построении общей модели распределения плотности тока в
образце из ВТСП-материала помимо процессов, описываемых с по-
мощью рассмотренных моделей, подобных токам проводимости
J
,
допустимо предположить существование структуры микротоков, опи-
сываемых их магнитными моментами или удельным параметром —
намагниченностью вещества
M
. Создаваемые магнитные поля источ-
никами
J
и
M
имеют различную топографию.
Рис. 2. Зависимости критической плотности тока
J
с
от магнитной индукции
(
а
) и удельного электрического сопротивления
ρ
eff
от плотности тока (
б
) при
T
c
= 77
K,
T
= 60
K,
δ
= 0
,
005
,
ρ
n
= 5
,
0
,
B
c
= 10
Тл:
1
–
В
= 1
Тл,
2
—
В
= 5
Тл,
3
—
В
= 8
Тл
120 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2014. № 6
