3)
отношение
U
с
.
п
/U
ш
.
ПИ
считать равным отношению
Φ
∗
эф
.
ф
/
Р
эф
.
пр
,
где
Φ
∗
эф
.
ф
—
эффективный поток энергии в плоскости ПИ
,
вызванный
наибольшим единичным
“
всплеском
”
∆
L
ф
яркости излучения фона
при попадании последнего в угловое поле прибора
.
В зависимости от исполнения схемы подключения ПИ ко входу
УТ можно принимать
0
,
05
< q
1
<
0
,
12
для одноплощадочных и
0
,
16
< q
1
<
0
,
36
для многоплощадочных ПИ
.
Кроме того
,
полагая
пространственную структуру фона такой
,
что изображение его ярко
-
сти неоднородности
,
единичной в пределах углового поля прибора и
максимальной по контрасту
,
соответствует размеру одной ячейки АИ
,
можно считать
,
что
Φ
∗
эф
.
ф
= ∆
L
ф
К
ФПС
(
Т
ф
)
·
0
,
25
π
Θ
2
ОС
А
п
.
д
(1
−
η
экр
)
η
c.o.c
K
∗
АИ
,
где
К
∗
АИ
—
безразмерный коэффициент
,
учитывающий влияние на
Φ
∗
эф
.
ф
пространственной структуры АИ
[1].
При таком предположении меша
-
ющее действие неоднородности излучения фона на работу прибора бу
-
дет наиболее неблагоприятным и аналогичным действию ложной цели
,
т
.
е
.
эта помеха будет определять оценку сверху и может считаться си
-
стематической
.
С учетом изложенного значение
µ
можно определить следующим
образом
:
µ
=
U
c
U
ш
.
ПИ
=
µ
0
(1 +
q
1
)
0
,
5
+
Φ
∗
эф
.
ф
P
эф
.
пр
.
Тогда согласно равенству
(2),
где
∆Φ
эф
.
ц
=
f
(
А
зр
.
вх
)
,
сначала опре
-
деляют значение
А
зр
.
вх
,
а затем
D
= 2(
А
зр
.
вх
/π
)
0
,
5
.
Основой для расчета важнейших параметров УТ
(
кроме ранее вы
-
бранных
∆
ν
УТ
и
ν
УТ
)
являются характеристики ПИ
,
указанные в пас
-
порте
.
Применительно к одноплощадочному фоторезистору
,
включен
-
ному по схеме делителя напряжения при сопротивлении его нагруз
-
ки
R
н
=
R
ПИ
,
будут справедливы следующие соотношения
:
R
вх
.
УТ
=
= (5
. . .
10)
R
ПИ
,
U
ш
.
УТ
=
U
ш
.
ПИ
√
q
1
и
U
с
=
µU
ш
.
ПИ
,
где
R
ПИ
— “
темно
-
вое
”
сопротивление ПИ
,
U
ш
.
ПИ
—
его собственные приборные шумы
,
R
вх
.
УТ
—
сопротивление на входе УТ
.
Их среднеквадратическое значе
-
ние
,
в свою очередь
,
рассчитывают по формуле
U
ш
.
ПИ
=
P
эф
.
пр
S
(
T
ст
)
K
ПИ
(
T
ст
)
,
где
S
(
T
ст
)
—
вольтовая чувствительность ПИ при стандартных его ис
-
пытаниях
,
значение которой приведено в его паспорте или может быть
найдено в справочной литературе
.
ISSN 0236-3933.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Приборостроение
". 2004.
№
1 35
