Рис. 6. Спектральные зависимости яркостной температуры излучения для
p
∼
1
(
1
) и
ρ
Xe
≈
200
(
2
),
10
3
(
3
) Па
под воздействием излучения в области собственного поглощения.
Максимальные спектральные яркости и яркостные температуры при
регистрации излучения через эти окна достигаются в ВУФ-области
(
λ
∼
180
±
20
нм); в коротковолновой области наблюдается спад ин-
тенсивности излучения, что связано с уменьшением коэффициента
пропускания кристаллов и наступлением обратимой непрозрачности.
Наблюдаемое изменение регистрируемой яркости излучения в види-
мой и ближней УФ-областях спектра связано с существованием на-
веденных полос поглощения и экранировкой излучения продуктами
эрозии кристаллов. Увеличение интенсивности падающего (зондиру-
ющего) излучения (при росте вводимой в разряд излучателя энергии)
приводит к росту доли жесткой компоненты излучения в эмиссионном
спектре и, как следствие, к “тепловому запиранию” кристаллов, что
соответствует и результатам спектроскопических исследований. Ком-
плекс радиационно-газодинамических процессов взаимодействия из-
лучения с УФ-кристаллами не ограничивается эффектами обратимой
непрозрачности кристаллов и появлением наведенных полос погло-
щения. Воздействие мощных потоков ВУФ-излучения плазмы на кри-
сталлы приводит и к необратимым изменениям поверхностной макро-
структуры и их оптических характеристик (т.е. к проявлению эффекта
накопления поверхностных повреждений). При росте интенсивности
излучения на
∼
40
% скорость фототермической деградации кристал-
лов увеличивается примерно в 2 раза и наиболее сильно эффект старе-
ния кристаллов проявляетcя в области энергий квантов
hν >
6
эВ, при
этом уменьшение прозрачности кристаллов в зоне РГД-воздействия
обусловлено радиационными потоками, а не возможной конденсацией
продуктов рекомбинации активной среды.
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2006. № 2 85
