Previous Page  8 / 17 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 8 / 17 Next Page
Page Background

Малогабаритный эрбиевый лазерный излучатель с диодной накачкой…

ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2017. № 5

21

Рис. 5.

Относительное распределение поглощенной мощности накачки по сечению

АЭ (

а

) и соответствующая ему карта уровней инверсии ионов эрбия (

б

)

В соответствии с отмеченными выше особенностями была разработана ме-

тодика расчета эрбиевого излучателя, алгоритм которой представлен на рис. 6.

Методика предполагает два основных этапа: 1) расчет выходной энергии в ре-

жиме свободной генерации излучения на основе накопленной в резонаторе

энергии; 2) расчет параметров гигантского импульса (энергии и длительности) в

режиме демпфирования добротности резонатора.

В случае двухзеркального резонатора, одно из зеркал которого «глухое», а

другое — имеет коэффициент отражения

,

пороговый коэффициент усиления

равен

а

2

a

1 2

ln ,

2

th

a

g

L

L

  

(7)

где

a

— пассивные потери в резонаторе;

а

L

— длина активной среды.

Для определения пороговых характеристик генерации лазера в зависимости

от коэффициента отражения выходного зеркала

2

на основе (5) определялась

пороговая мощность накачки

,

th

P

значение которой соответствовало выполне-

нию условия равенства пороговой ( )

th

n

и максимальной

Er

( )

n

плотностям ин-

версной населенности, вычисленных на основе (7) и (5), при длительности им-

пульса накачки 5 мс и длине активной среды

а

24 мм.

L

Зависимость порого-

вой мощности накачки от коэффициента отражения выходного зеркала

2

по-

казана на рис. 7,

а

.

Результаты решения системы (5) для максимальной мощности накачки

P

max

=130 Вт, достижимой в эксперименте, где использовались две лазерные ди-

одные линейки

АТС-Q70

, приведены на рис. 7,

б

.

Максимальная плотность инверсной населенности рабочего уровня

0

,

n

как

следует из решения, равна

19

3

0 Er

2, 5·10

,

см

n n

 

а коэффициент усиления

0

g

для трехуровневой эрбиевой среды находится как