Оптимальным оптическим диапазоном для построения МОЛС
является 0,8. . . 0,9 мкм, поскольку в этой области разработаны одномо-
довые полупроводниковые источники лазерного излучения на основе
GaAlAs-GaAs, а также высокоэффективные широкополосные фото-
приемники на основе кремниевых и GaAs-лавинных, pin-фотодиодов
и ФЭУ-МКП.
Как отмечалось ранее, оптические линии созданы на основе по-
лупроводниковых лазеров, которые по сравнению с другими типами
лазеров имеют ряд преимуществ. Они малогабаритны, имеют КПД
более 30%, позволяют напрямую осуществлять модуляцию светового
пучка током накачки в полосе до единиц ГГц, излучают плоскопо-
ляризованную волну в одной поперечной моде, имеют значительную
долговечность.
Однако инжекционные лазеры имеют и ряд недостатков: большая
расходимость осенесимметричного излучения
(10
×
30)
◦
, трудности со-
хранения одномодового режима при достижении высоких мощностей
излучения (сотни мВт), проявление нелинейных эффектов у мощных
лазеров при увеличении скорости информационного сигнала, астиг-
матизм и др. Измерения волнового фронта, выполненные впервые на
отечественных образцах, показали, что далеко не у всех ЛИ световой
пучок имеет дифракционное качество [1]. Именно поэтому значитель-
ная часть работ, посвященных созданию МОЛС, была связана с раз-
работкой и исследованием новых ЛИ для применения в аппаратуре
МОЛС.
К моменту начала проведения исследований отечественные образ-
цы ЛИ для создания МОЛС отсутствовали. Одномодовые излучатели
типа ИЛПП-232 (разработка НИИ “Полюс”) мощностью 30 мВт пред-
назначались для работы только в непрерывном режиме в наземных
условиях и не отвечали всему объему требований, предъявляемых к
бортовым высокоскоростным лазерным излучателям. Для решения за-
дач создания высокоскоростных МОЛС необходимо было разработать
новое поколение инжекционных лазеров — бортовых ЛИ — для связ-
ной аппаратуры МОЛС.
Работы проводились по нескольким основным направлениям: раз-
работка новых физико-технических принципов и технологических ме-
тодов для решения фундаментальной проблемы создания нового по-
коления высокоскоростных одномодовых ЛИ с мощностью излучения
не менее 200 мВт и скоростью импульсно-кодовой модуляции не менее
622Мбит/с при сохранении параметров излучения;
— исследование и улучшение качества излучения таких ЛИ и созда-
ние на базе новых оптических материалов оптических систем (ФОС),
18 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2007. № 1
