Рис. 3. Изменение СО интенсивности отказов ячеек ( ) и потока радиоизлуче-
ния Солнца
F
10
,
7
( ) (
t
= 30
суток):
——— — линейный (
F
10
,
7
); — — — — линейный (СО интенсивности отказов ОЗУ)
Также на рис. 3 видно, что наибольший разброс интенсивности
отказов ячеек (наибольшие значения среднего отклонения (СО)) при-
ходится на 2004 г. и к 2007 г. постепенно снижаются. Данная тенденция
может бытьобусловлена спадом 23-го цикла солнечной активности,
максимум которого пришелся на 2002 г.
Сопоставив полученные результаты с различными показателями
гелиогеофизической активности (характеристиками ИИ и геомагнит-
ной активности, характеристиками солнечной активности, рентгенов-
ского и других видов излучений), установили, что явной зависимости
числа перемежающихся отказов микросхем от указанных характери-
стик не прослеживается.
Вследствие сложного характера механизмов возникновения отка-
зов в ИМС в условиях воздействия ИИ существование прямой за-
висимости числа отказов ячеек ОЗУ от воздействия ИИ не является
обязательным ввиду того, что в статических ЗУ основную роль в обра-
зовании перемежающихся отказов играет суммарный заряд, собран-
ный из ионизационного трека носителей [3]. При этом зависимость
вероятности ошибки от этого заряда имеет порог, которому соответ-
ствует значение критического заряда. Если суммарный заряд превы-
сит данное значение, происходит переход ячейки оперативной памяти
в другое логическое состояние (из “0” в “1” или из “1” в “0”). Та-
ким образом, в качестве характеристики качества функционирования
микросхем предлагается использоватьне интенсивностьотказов, как
обычно принято, а СО интенсивности отказов ОЗУ, которая является
мерой нестабильности работы микросхемы.
98 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2010. № 3
