14. А б р а м о в И. И., Г о н ч а р е н к о И. А., К о л о м и й ц е в а Н. В. Иссле-
дование влияния границ раздела “сшивки” в комбинированной модели РТД //
СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 2006) : Матери-
алы 16-й Междунар. Крымской конф. – Севастополь, 2006. – С. 667–668.
15. П р о х о р о в Э. Д. Квантово-размерные эффекты в твердотельных сверхвы-
сокочастотных приборах. – Харьков: ХНУ им. В.Н. Каразина, 2005. – 220 с.
16. А б р а м о в И. И., Г о н ч а р е н к о И. А., К о л о м и й ц е в а Н. В. Ком-
бинированная модель резонансно-туннельного диода // Физика и техника полу-
проводников. – 2005. – Т. 39. Вып. 9. – С. 1138–1145.
17. Б е ж к о М. П., Б е з о т о с н ы й И. Ю., Ш м е л е в С. С. Особенности по-
ведения дифференциальной проводимости резонансно-туннельных структур //
Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. VII Междунар.
науч. конф. – Кисловодск, 2007. – С. 13–14.
18. А б р а м о в И. И., К о р о л е в А. В. Теоретическое исследование приборных
структур, содержащих резонансно-туннельные диоды // ЖТФ. – 2001. – Т. 71.
Вып. 9. – С. 128–133.
19. А б р а м о в И. И., Г о н ч а р е н к о И. А., К о л о м и й ц е в а Н. В. Модели-
рование резонансно-туннельных структур с использованием комбинированных
одно- и двухзонных физико-топологических моделей // СВЧ-техника и теле-
коммуникационные технологии (КрымиКо 2005): Материалы 15-й Междунар.
Крымской конф. – Севастополь, 2005. – С. 617–618.
20. А б р а м о в И. И., Г о н ч а р е н к о И. А., К о л о м и й ц е в а Н. В. Модели-
рование РТД на основе GaAs/AlGaAs с использованием однозонной комбини-
рованной модели // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (Кры-
миКо 2006): Материалы 16-й Междунар. Крымской конф. – Севастополь, 2006.
– С. 665–666.
21. К о л о м и й ц е в а Н. В. Моделирование резонансно-туннельных структур с
использованием комбинированных одно- и двухзонных физико-топологических
моделей // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрымиКо 2005) :
Материалы 15-й Междунар. Крымской конф. – Севастополь, 2005. – С. 617–618.
22. Y a n y a n g X u, F a y P., C h o w D. H. Experimental investigation of the
temperature dependence of InAs-AlSb-GaSb resonant interband tunnel diodes // IEEE
Transactions on Electron Devices. – 2004. – Vol. 51, Issue 7. – Р. 1060–1064.
23. E l e s i n V. V., M a l t c e v P. P., N i k i f o r o v A. Y. Radiation effects in
resonance-tunnel diode structures // Third European Conference on Radiation and its
Effects on Components and Systems. – Arcashon (France), 1995. – Р. 557–559.
24. П р о г н о з и р о в а н и е индивидуальной надежности гетероструктурного
РТД и устройств на его основе / Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, С.В. Хныкина
и др. // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо 2008):
Материалы 18-й Междунар. Крымской конф. – Севастополь, 2008. – Т. 1. –
С. 558–559.
25. П а т е н т на изобретение № 2372691. Наноэлектронный полупроводниковый
смесительный диод / Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Н.В. Федоркова и др. Прио-
ритет изобретения 19.08.2008.
26. П а т е н т на изобретение № 2372692. Наноэлектронный полупроводниковый
смесительный диод / Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Н.В. Федоркова и др. Прио-
ритет изобретения 19.08.2008.
27. П а т е н т на изобретение № 2372693. Наноэлектронный полупроводниковый
смесительный диод / Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Н.В. Федоркова и др. Прио-
ритет изобретения 19.08.2008.
28. П а т е н т на изобретение № 2372694. Наноэлектронный полупроводниковый
смесительный диод / Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Н.В. Федоркова и др. Прио-
ритет изобретения 19.08.2008.
112 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2012. № 4
